2006 წლის სამეცნიერო-ტექნოლოგიურ სამუშაოთა პროგრამის მოკლე ანგარიში

1. მაგნიტოსფეროში დიდმასშტაბიან პლაზმურ დინებებთან დაკავშირებული ეფექტების შესწავლა.

ვ. კირცხალია, გეომაგნიტური გამოსხივებისა და ეკოლოგიური პრობლემების კვლევის ლაბორატორია.

სამეცნიერო კვლევითი სამუშაო „მაგნიტოსფეროში დიდმასშტაბიან პლაზმურ დინებებთან დაკავშირებული ეფექტების შესწავლა“ შესრულებული იყო 2005-2006 წლებში. მოსალოდნელი შედეგების ჩამონათვალი შემდეგია:

- ჩვენს მიერ შემუშავებული თეორიული კვლევის ახალი მეთოდის უპირატესობის დადასტურება, რაც შექმნის მჰდ მდგრადობის თეორიის შემდგომი განვითარების წინაპირობას;
- Pc პულსაციებისა და მათი თანმდევი მაგნიტოაკუსტიკური გამოსხივების ფიზიკური მექანიზმებისა და გენერაციის წყაროების დადგენა;
- გეომაგნიტური გამოსხივებების სიხშირული სპექტრის თავისებურებების დადგენა.

როგორც წარმოდგენილი ანგარიშიდან ჩანს, დასახული მიზანი მიღწეულია და ყველა დაგეგმილი შედეგი მიღებულია. უფრო მეტიც – ამ პერიოდში განხორციელებული იქნა ჰიდროდინამიკური ტანგენციალური წყვეტის აქტუალური პრობლემების კვლევები. აღსანიშნავია, რომ აღნიშნულ სამუშაოთა დიდი ნაწილი შესრულებულია რუსეთის ფედერაციის მეცნიერებათა აკადემიის პროხოროვის სახელობის ზოგადი ფიზიკის ინსტიტუტის პლაზმის განყოფილების გამგესთან, პროფ. ა. რუხაძესთან მჭიდრო თანამშრომლობით.

2. საქართველოს ჰელიო პოტენციალის შესწავლა ნახევარგამტარული ფოტოენერგეტიკის თვალსაზრისით.

კ. კობახიძე, განახლებადი ენერგიებისკვლევისა და გამოყენების ლაბორატორია.

მზის ჯამური რადიაციის რუქის შედგენისას გარდა მზის ფოტო-ელექტრო სადგურებზე გაზომილი პარამეტრებისა, გამოყენებულ იქნა საქართველოს რვა მეტეოსადგურზე (სოხუმი, ბათუმი, სენაკი, თბილისი, თელავი, ყაზბეგი, ჯვრისუღელტეხილი, წალკა) მრავალწლიანი აქტინომეტრიული გაზომვების შედეგები. ამ გზით შეჯერებული მონაცემების განზოგადების და ექსტრაპოლირების შედეგად შეიქმნა რუქა.

3. სილიციუმ-გერმანიუმის თერმოელექტრული შენადნობებისაგან დიდი რესურსის მქონე კომუტაციური გადასვლის ტექნოლოგიის დამუშავება.

კ. ბარბაქაძე, თერმოელექტრული ნახევარგამტარული მასალათმცოდნეობისა და ხელსაწყოთმშენებლობის ლაბორატორიის ხელმძღვანელი.

დამუშავებული იქნა Si0,7-Ge0,3 თერმოელექტრული შენადნობის ვოლფრამით კომუტირების ტექნოლოგია. მიღებული კომუტაციური გადასვლა თერმომდგრადია, მისი ელექტრული და თერმული წინააღმდეგობა უმნიშნველოა, სამუშაო ტემპერატურა 850°C აღემატება.

 

4. ეფექტური ანტისუბლიმაციური დანაფარი თერმოელექტროგენერატორებისათვის განკუთვნილი დაბალტემპერატურული თერმოელექტრული მასალებისათვის

ფ. ბასარია, კრიოგენული ტექნიკისა და ტექნოლოგიების ლაბორატორია.

გეგმით გათვალისწინებული სამუშაოების შესრულების შედეგად მიღებული ანალიზიდან გამომდინარე შეიძლება ითქვას, რომ მინა-მინანქარი წარმოადგენს საუკეთესო ანტისუბლიმაციურ შენაერთს დაბალტემპერატურული თერმოელექ­ტრული მასალების საფუძველზე შექმნილი თერმოელექტროგენერატორებისათვის. ასევე მინა-მინანქარი მთლიანად უზრუნველყოფს თეგ-ის სამუშაო სივრცეში მავნე ნივთიერებისაგან (H2, CO, ორგანული შენაერთები და სხვა) გასუფთავებას, რაც მნიშვნელოვანია მისი მუშაობის სტაბილურობისათვის. კვლევის შედეგების საფუძველზე შემუშავებულია და რეკომენდირებულია BiTeSe n-ტიპის სახის თერმოელემენტების შტოების ანტისუბლიმაციურ დანაფარად H-6 ქიმიური შემადგენლობის მინა-მინანქარი. BiTeSe p-ტიპის სახის თერმოელექტრული შტოების ანტისუბლიმაციურ დანაფარად H-8 ქიმიური შემადგენლობის მინა-მინანქარი. პრაქტიკაში გამოყენებისას აღნიშნული მინა-მინანქრები უზრუნველყოფენ თეგ-ის მუშაობას დიდი ხნის (5-10 წელი) მანძილზე 200-350°C ტემპერატურის ფარგლებში.

5. ახალი კლასის იონ-იმპლანტაციური მასალები ნანოტექნოლოგიების­ათვის.

ა. გულდამაშვილი, მყარი სხეულის რადიაციული ფიზიკის და იონური იმპლანატაციის ლაბორატორია.

იონური იმპლანტაციის პირობების შესარჩევად და ექსპერიმენტული შედეგების ინტერპრეტაციისათვის გამოთვლილია ნიობიუმის, ვოლფრამის, სილიციუმ-გერმანიუმის მბომბავი ნაწილაკების რადიაციული მახასიათებლები: დეფექტების გენერაციის, სამიზნის შემცველობის ცვლილების უნარების გენერაციის, სამიზნის შემცველობის ცვლილების უნარები და დასხივების დამანგრეველი დოზები.

მიღწეულია ზონის ბორის, ჟანგბადის, სილიციუმისა და არგონის იონებით ოთახის ტემპერატურაზე იმპლანტირებული ნიობიუმისა და ვოლფრამის ნანო მეტრულზომებიანი ზედაპირული ფენების მიკროსისალის თითქმის სამჯერადი გაზრდა დანარჩენი მოცულობის თვისებების შენარჩუნებით.

მიღებული შედეგები გამოყენებული იქნება გაცილებით მაღალი დოზებით დასხივებული სილიციუმ-გერმანიუმის თერმოელექტრული პარამეტრების დეგრადაციის პროგნოზირებისათვის.

შემოთავაზებულია იონური-იმპლანტაციის ძირითადი ეტაპების განვითარე­ბისა და შედეგების მოკლე მიმოხილვა, შეზღუდული გავრცელების გრიფის მქონე – დახურული მასალების საფუძველზე.